Arイオンミリング装置の性能比較表

	PIPS GATAN M-691	PIPS Ⅱ GATAN M-695	Nano Mill Fischione M-1040	イオンスライサ JEOL M-09100 IS
イオン加速電圧	100 eV ～6 keV	100 eV ～8 keV	50 eV ～2 keV	1～8 keV
イオンビーム直径	最小 350 µm	最小 350 µm	最小 4 µm	500 µm
イオンビーム電流	最高 10mA/cm2	最高 10mA/cm2	最高 8mA/cm2	イオン電流 305μA（8keV）
ミリング角度範囲	0 ～±10°	0 ～±10°	-10°～+30°	最大±6° （0.1°ステップ）
試料形状	3mmφ or 2.3mmφの円盤	3mmφの円盤	3mmφの円盤又は 5×10mm 以上の薄片	長さ2.8×幅0.5×厚さ0.1mmの 短冊型
FIBのダメージ除去	－	〇	〇	－
planview試料の観察	〇	〇	－
cross-section試料の 観察	△	△	－	〇